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石墨烯CVD制備設(shè)備

簡要描述:這款配置的低真空CVD系統(tǒng)由1200℃真空管式爐,3通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成,可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)),可預(yù)抽真空(有高真空、低真空),通多種氣氛(供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量控制器和浮子流量控制器〕。真空泵、閥均釆用進口設(shè)備,性能可靠。控制電躋選用模糊PD程控技術(shù),具有控溫精度髙,溫沖幅度小,性能可靠,簡單易操作等特點。石墨烯CVD制備設(shè)備

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  • 更新時間:2021-06-02
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石墨烯CVD制備設(shè)備

這款配置的低真空CVD系統(tǒng)由1200℃真空管式爐,3通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成,可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)),可預(yù)抽真空(有高真空、低真空),通多種氣氛(供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量控制器和浮子流量控制器〕。真空泵、閥均釆用進口設(shè)備,性能可靠??刂齐娷Q選用模糊PD程控技術(shù),具有控溫精度髙,溫沖幅度小,性能可靠,簡單易操作等特點。CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等。

技術(shù)參數(shù)

1200雙溫區(qū)加熱爐

電壓 AC220V 50/60Hz

功率 4.5KW 雙溫控

Max溫度 1150 °C

工作溫度 ≤ 1100 °C

升溫速率 ≤  15°C/min

溫控系統(tǒng) PID自動控制晶閘管(可控硅)輸出功率,30段可編程控制器

恒溫精度 ±1°C

石英管 25/50/60/80*1400mm

 

三路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

MAX電壓 185~245V/50Hz

MAX輸出功率  18W

流量計標準量程 50,100,200,500SCCM(非特殊以氮氣標定,量程可選定)

工作溫度 5~45  °C

工作壓差 0.1~0.5 MPa

MAX壓力 3MPa

準確度 ±1.5%FS

 

低真空系統(tǒng)

采用雙極旋片真空泵

不銹鋼充油真空壓力表,良好的抗震性

安裝過濾器

 

內(nèi)置測溫系統(tǒng)

測溫元件可從加熱區(qū)邊緣延申至溫區(qū)中心法蘭密封,保證爐管的密封性測溫元件,N型熱電偶

 

法蘭及支撐

304不銹鋼快速水冷法蘭,長期水冷無腐蝕,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放取物料方便快捷可調(diào)節(jié)法蘭的支撐,平衡爐管的受力支撐。包含進氣,出氣,真空抽口針閥,KF密封圈及卡箍組合,4個密封硅膠圈等。

 

可選配件

混氣系統(tǒng),中,高真空系統(tǒng),各種剛玉坩堝,石英管,計算機控制軟件,無紙記錄儀,氧含量分析儀,冷卻水循環(huán)機。

 

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